授業科目名				担当教員
電子デバイス工学特論				小野島　紀夫／矢野　浩司／山本　真幸
時間割番号	単位数	コース	履修年次	期別	曜日	時限
GTE503	2	(未登録)	1	後期	火	II
［概要と目標］
[Advanced Electronic Device Engineering] This course provides the knowledge to understand the principle of semiconductor devices as key devices for highly information-oriented society in recent years. 今日エレクトロニクスは高度情報化社会を支えるキー技術として不可欠のものとなっている。本授業では、その核となる半導体デバイスを理解する上で必要となる知識を得ることを目的とし、以下の３項目に分けて講義を行う。 （１）有機半導体デバイスの動作原理について無機半導体と対比して その違いを理解し，有機材料の特徴を生かした将来展開を考える。 （２）パワーデバイスの動作原理と性能の特徴を把握する。 （３）半導体デバイス工学の基盤となるバンド理論に関する理解を深める。また、各自の研究分野において半導体デバイスが如何に用いられているかを知る。
[到達目標]
1. To understand the fundamental physics of organic semiconductor-based electronic devices compared with inorganic counterparts 2. To understand the fundamental physics of semiconductor power devices and their application 目標の半導体素子に関する全体像を把握することである
［必要知識・準備］
Basic knowledge of Electromagnetism and Semiconductor Engineering 電磁気学、半導体工学、量子力学
［評価基準］
No 評価項目 割合 評価の観点 1 小テスト／レポート  90  % 授業で習った内容が理解できているかについて評価する  2 受講態度  10  % 2/3以上の出席が最低条件
［教科書］
(未登録)
［参考書］
B.Jayant Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, Springer
［講義項目］
(1) Overview of organic electronics (2) Fundamental physics of organic semiconductors (3) Carrier-transport mechanism in organic semiconductors (4) Device physics of organic transistors (5) Fabrication process of organic transistors (6) Applications of organic transistors (7) Introduction of organic semiconductor-based optoelectronic devices (8) Trend of power device development (9) Structure and physics of pin diode (10) Structure and physics of power MOSFET (11) Structure and physics of IGBT (12) Structure and physics of superjunction power device (13) Wide bandgap power devices : SiC power devices (14) Wide bandgap power devices : GaN power devices (15) Final examination （１）有機エレクトロニクス（担当：小野島、全５回） 　（１－１）有機トランジスタへの期待 　（１－２）量子化学の基礎 　（１－３）固体物性論 　（１－４）電荷輸送機構 　（１－５）作製技術と有機化学 （２）パワーデバイス（担当：矢野、全５回） 　（２－１）　パワーデバイスの種類と開発動向 　（２－２）　pinダイオード 　（２－３）　パワーMOSFETの構造と動作 　（２－４）　IGBTの構造と動作 　（２－５）　スーパージャンクションの構造と動作 （３）Band theory based on the tight-binding model（担当：山本、全５回） 　（３－１）　Band theory based on the tight-binding model 1 　（３－２）　Band theory based on the tight-binding model 2 　（３－３）　Oral presentation 1 　（３－４）　Oral presentation 2 　（３－５）　Oral presentation 3
［前年度授業に対する改善要望等への対応］
アンケート結果確認済