|
授業科目名
|
担当教員
|
|||||||||||||
|
結晶工学特論
|
村中 司／鍋谷 暢一
|
|||||||||||||
|
時間割番号
|
単位数
|
コース
|
履修年次
|
期別
|
曜日
|
時限
|
||||||||
| GTE504 | 2 | (未登録) | 1 | 後期 | 月 | II | ||||||||
| ［概要と目標］ | ||||||||||||||
| 電子デバイスや光デバイスの多くは、何らかの基板結晶上に成長したエピタキシャル結晶を利用して作製される。その技術的背景として、分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法に代表される結晶成長技術の革新的な進歩があり、これら技術を理解することがデバイスの理解に必要不可欠である。本特論では、ナノスケールで制御された量子井戸構造やヘテロ界面の形成に不可欠な成長技術とエピタキシャル結晶の構造・物性・評価方法、さらにデバイス作製のプロセス技術の基礎知識を身につける。 | ||||||||||||||
| [到達目標] | ||||||||||||||
|
（ア）結晶成長の基礎について説明できる。 （イ）各種結晶成長法について説明できる。 （ウ）結晶の構造評価法について説明できる。 （エ）結晶の物性評価法について説明できる。 （オ）各種半導体デバイスプロセス技術について説明できる。 |
||||||||||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||||||||||
| 大学の学部程度の数学、物理、化学の知識を基礎とする。 ダイオードやトランジスタなど、初歩的な電子デバイスの構造や原理などを復習すること。 |
||||||||||||||
| ［評価基準］ | ||||||||||||||
|
||||||||||||||
| ［教科書］ | ||||||||||||||
|
||||||||||||||
| ［参考書］ | ||||||||||||||
|
||||||||||||||
| ［講義項目］ | ||||||||||||||
| 第０１回 結晶成長の基礎（鍋谷） 第０２回 エピタキシーの必要性（鍋谷） 第０３回 エピタキシーが適用される結晶（鍋谷） 第０４回 各種エピタキシー法（鍋谷） 第０５回 結晶成長方法と装置の構成（鍋谷） 第０６回 結晶評価方法（構造評価）（鍋谷） 第０７回 結晶評価方法（光学特性評価）（鍋谷） 第０８回 結晶評価方法（電気的特性評価）（鍋谷） 第０９回 結晶成長とデバイス応用(チョクラルスキー法)（村中） 第１０回 結晶成長とデバイス応用(浮遊溶融法 他)（村中） 第１１回 集積回路の基礎（村中） 第１２回 集積回路製造技術(各種絶縁膜形成プロセス)（村中） 第１３回 集積回路製造技術(真空蒸着法 他)（村中） 第１４回 集積回路製造技術(エッチングプロセス)（村中） 第１５回 総括・まとめ（鍋谷/村中） 上記を予定として、理解度および進捗状況を判断しながら講義を進める。 |
||||||||||||||
| ［前年度授業に対する改善要望等への対応］ | ||||||||||||||
| アンケート結果確認中 | ||||||||||||||