授業科目名				担当教員
電子デバイス工学特論				小野島　紀夫／矢野　浩司／山本　真幸
時間割番号	単位数	コース	履修年次	期別	曜日	時限
GTE503	2	(未登録)	1	後期	火	II
［概要と目標］
今日エレクトロニクスは高度情報化社会を支えるキー技術として不可欠のものとなっている。本授業では、その核となる半導体デバイスを理解する上で必要となる知識を得ることを目的とし、以下の３項目に分けて講義を行う。 （１）有機半導体デバイスの動作原理について無機半導体と対比して その違いを理解し，有機材料の特徴を生かした将来展開を考える。 （２）パワーデバイスの動作原理と性能の特徴を把握する。 （３）半導体デバイス工学の基盤となるバンド理論に関する理解を深める。また、各自の研究分野において半導体デバイスが如何に用いられているかを知る。
[到達目標]
目標の半導体素子に関する全体像を把握することである
［必要知識・準備］
電磁気学、半導体工学、量子力学
［評価基準］
No 評価項目 割合 評価の観点 1 小テスト／レポート  90  % 授業で習った内容が理解できているかについて評価する  2 受講態度  10  % 2/3以上の出席が最低条件
［教科書］
(未登録)
［参考書］
B.Jayant Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, Springer
［講義項目］
（１）有機エレクトロニクス（担当：小野島、全５回） 　（１−１）有機エレクトロニクスの概要 　（１−２）有機半導体の基礎物性 　（１−３）有機半導体の電荷輸送機構 　（１−４）有機トランジスタの動作原理 　（１−５）有機トランジスタの応用 （２）パワーデバイス（担当：矢野、全５回） 　（２−１）　パワーデバイスの種類と開発動向 　（２−２）　pinダイオード 　（２−３）　パワーMOSFETの構造と動作 　（２−４）　IGBTの構造と動作 　（２−５）　スーパージャンクションの構造と動作 　（２−６）　ワイドバンドギャップ半導体デバイス：SiCパワーデバイス 　（２−７）　ワイドバンドギャップ半導体デバイス：GaNパワーデバイス （３）バンド理論および各自の研究と関連する半導体デバイス（担当：山本、全５回） 　（２−１）　Tight-bindingモデルを用いたバンド理論１ 　（２−２）　Tight-bindingモデルを用いたバンド理論２ 　（２−３）　プレゼン準備 　（２−４）　各自の研究と関連する半導体デバイスのプレゼン１ 　（２−５）　各自の研究と関連する半導体デバイスのプレゼン２