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授業科目名
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担当教員
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電子デバイス工学
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中川 清和
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 262044 | 2 | S | 3 | 前期 | 水 | III | ||||||||
| ［概要］ | ||||||||||||||
| 電子回路を構成する電子部品の特性を理解することを目標とする。能動素子の材料である半導体の性質と、半導体で構成される能動部品（トランジスタなど）の特性を理解する。 | ||||||||||||||
| ［具体的な達成目標］ | ||||||||||||||
| （ア）共有結合を説明できる。<BR>（イ）フェルミレベルとは何かを説明できる。<BR>（ウ）半導体のバンド構造を説明できる。<BR>（エ）pn接合の構造と清流動作について説明できる。<BR>（オ）ショットキ接合の構造と清流動作について説明できる。<BR>（カ）MOS構造と蓄積、空乏、反転状態について説明できる。<BR>（キ）MOSトランジスタの構造と動作について説明できる。<BR>（ク）インバーターの構造について説明できる。<BR>（ケ）半導体メモリの構造について説明できる。 | ||||||||||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||||||||||
| 電磁気学、物理学 | ||||||||||||||
| ［評価方法・評価基準］ | ||||||||||||||
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| ［教科書］ | ||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||
| ［参考書］ | ||||||||||||||
| ［講義項目］ | ||||||||||||||
| １．固体のエネルギーバンド<BR>２．フェルミレベルとキャリア濃度<BR>３．キャリアの生成と消滅、拡散<BR>４．半導体中のキャリア分布<BR>５．pn接合と整流作用<BR>６．ショットキ接合と整流作用<BR>７．MOSダイオード構造と蓄積、空乏、反転電荷分布<BR>８．MOSトランジスタの構造と動作原理<BR>９．短チャネル効果とスケーリング<BR>１０．バイポーラトランジスタの構造と動作原理<BR>１１．MOSトランジスタによる負荷とインバータ<BR>１２．トランジスタによる各種論理回路<BR>１３．各種半導体メモリの構造と動作原理<BR>１４．発光ダイオードとレーザー<BR>１５．電荷結合素子および総括・評価 | ||||||||||||||
| ［教育方法］ | ||||||||||||||
| 毎回の講義はパワーポイントまたはOHPを用いる。プリントを配布するので講義中に要点をそれに記入していくこと。 | ||||||||||||||
| ［JABEEプログラムの学習・教育目標との対応］ | ||||||||||||||
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| ［その他］ | ||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||