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授業科目名
担当教官
集積回路
中川 清和
時間割番号
単位数
コース
履修年次
期別
曜日
時限
272030 2 ES 4 前期 III
[概要]
高度情報化社会を支えるキー技術としての半導体素子技術(トランジスタの構造、動作原理、作製法、集積回路、評価技術)に関して全体像を把握することを目的とします。
[具体的な達成目標]
(ア)共有結合を説明できる。
(イ)フェルミレベルとは何かを説明できる。
(ウ)半導体中のキャリア濃度に関して説明できる。
(エ)pn接合ついて説明できる。
(オ)MOS構造について説明できる。
(カ)MOSトランジスタについて説明できる。
(キ)バイポーラトランジスタについて説明できる。
(ク)インバーターについて説明できる。
(ケ)半導体メモリについて説明できる。
[必要知識・準備]
電磁気学の初歩、量子力学の初歩
[評価基準]
評価基準は、目標の半導体素子技術に関する全体像を把握することであり、目標達成度で評価を行います。毎回行う小テストおよび定期試験の成績を総合評価します。
配点:定期試験 70点、小テスト 30点
合格:60点
[教科書]
(未登録)
[参考書]
  1. 菊地正典、高山洋一郎、鈴木俊一, ハイテクブックシリーズ 半導体・ICのすべて, 電波新聞社, ISBN:4-88554-681-8
[講義項目]
  1.半導体とは
  2.バンド構造
  3.半導体中のキャリアの振る舞い
  4.pn接合、ショットキィ接合(拡散電位、整流作用、接合の静電容量)
  5.MOS構造(界面の蓄積状態・空乏状態・反転状態、MOS構造の静電容量)
  6.MOSトランジスタの構造と作製法1
  7.MOSトランジスタの構造と作製法2
  8.MOSトランジスタの動作
  9.短チャネル効果とスケーリング
 10.集積回路1(インバータ、メモリ)
 11.集積回路2(作製プロセス技術)
 12.基板作製技術(SOI、歪み基板)
 13.新機能素子
 14.評価技術
 15.定期試験
[教育方法]
毎回の講義はパワーポイントまたはOHPを用いる.プリントを配布するので講義中に要点をそれに記入していくこと。
[JABEEプログラムの学習・教育目標との対応]
本科目は電気電子システム工学科の掲げる学習・教育目標「C-4:電気電子工学分野の専門知識・技術を身につける」に対応する。
[その他]
毎講義の最後に、小テストを行う。