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授業科目名
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担当教官
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集積回路
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中川 清和
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 272030 | 2 | ES | 4 | 前期 | 水 | III |
| ［概要］ | ||||||
| 高度情報化社会を支えるキー技術としての半導体素子技術（トランジスタの構造、動作原理、作製法、集積回路、評価技術）に関して全体像を把握することを目的とします。 | ||||||
| ［具体的な達成目標］ | ||||||
| (ア)共有結合を説明できる。 (イ)フェルミレベルとは何かを説明できる。 (ウ)半導体中のキャリア濃度に関して説明できる。 (エ)pn接合ついて説明できる。 (オ)MOS構造について説明できる。 (カ)MOSトランジスタについて説明できる。 (キ)バイポーラトランジスタについて説明できる。 (ク)インバーターについて説明できる。 (ケ)半導体メモリについて説明できる。 |
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| ［必要知識・準備］ | ||||||
| 電磁気学の初歩、量子力学の初歩 | ||||||
| ［評価基準］ | ||||||
| 評価基準は、目標の半導体素子技術に関する全体像を把握することであり、目標達成度で評価を行います。毎回行う小テストおよび定期試験の成績を総合評価します。 配点：定期試験 70点、小テスト 30点 合格：60点 |
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| ［教科書］ | ||||||
| (未登録) | ||||||
| ［参考書］ | ||||||
| ［講義項目］ | ||||||
| １．半導体とは ２．バンド構造 ３．半導体中のキャリアの振る舞い ４．pn接合、ショットキィ接合（拡散電位、整流作用、接合の静電容量） ５．MOS構造（界面の蓄積状態・空乏状態・反転状態、MOS構造の静電容量） ６．MOSトランジスタの構造と作製法1 ７．MOSトランジスタの構造と作製法2 ８．MOSトランジスタの動作 ９．短チャネル効果とスケーリング １０．集積回路1（インバータ、メモリ） １１．集積回路2（作製プロセス技術） １２．基板作製技術（SOI、歪み基板） １３．新機能素子 １４．評価技術 １５．定期試験 |
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| ［教育方法］ | ||||||
| 毎回の講義はパワーポイントまたはOHPを用いる．プリントを配布するので講義中に要点をそれに記入していくこと。 | ||||||
| ［JABEEプログラムの学習・教育目標との対応］ | ||||||
| 本科目は電気電子システム工学科の掲げる学習・教育目標「C-4：電気電子工学分野の専門知識・技術を身につける」に対応する。 | ||||||
| ［その他］ | ||||||
| 毎講義の最後に、小テストを行う。 | ||||||