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授業科目名
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担当教官
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イオン工学特論
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斎藤 幸典
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 416340 | 2 | (未登録) | 1 | 後期 | 火 | II |
| ［概要と目標］ | ||||||
| イオン注入とは、原子をイオン化して高電圧で加速して数１０keVから数100keVのエネルギーで固体に注入する方法である。非熱平衡状態にプロセスであるために元素と固体状のターゲットとの組合わせには制約がない。したがってこの方法を使って材料の表層部分の性質を変えることにより様々な機能を付与した新しい機能性材料の創出に有効な方法である。半導体以外に誘電体に各種金属イオンを注入することによりその表面層の光学的特性を母材のものと変えて新たな応用を考えてゆく。イオン源の特性、注入されたイオンの母材内での振る舞い、イオン注入された表面層の構造、光学的・電気的・機械的等の特性がどのように変わるのか、及びイオン注入の理論等について講義する。 | ||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||
| (未登録) | ||||||
| ［評価基準］ | ||||||
| (未登録) | ||||||
| ［教科書］ | ||||||
| (未登録) | ||||||
| ［参考書］ | ||||||
| (未登録) | ||||||
| ［講義項目］ | ||||||
| (未登録) | ||||||