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授業科目名
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担当教官
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分子素子設計工学特論
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佐藤 哲也
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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401371 | 2 | (未登録) | 1 | 後期 | 火 | III |
[概要と目標] | ||||||
低エネルギーイオンビームおよび低速電子線(100eV以下)誘起蒸着法は、原子・分子レベルで薄膜を形成する手法の一つとして考えられている。低速イオンおよび電子と固体表面(金属、半導体、ファンデルワールス薄膜)の衝突により生起される、電子励起、二次イオン散乱、表面化学反応等に関する講義を行い、ナノサイズの構造を有する分子素子やナノデバイスの創製に必要な基礎学力を養成する。 | ||||||
[必要知識・準備] | ||||||
電子・原子・分子の衝突、固体物理に関する基礎知識。 | ||||||
[評価基準] | ||||||
レポート課題(80点)および小テスト(20点)の成績により評価する。 | ||||||
[教科書] | ||||||
(未登録) | ||||||
[参考書] | ||||||
[講義項目] | ||||||
1.低速電子と固体の衝突 2.低速イオンと固体の衝突 3.表面の電子励起 4.プラズマの基礎と応用 5.ビーム工学と表面分析 |