授業科目名				担当教官
半導体デバイス工学特論				加藤　孝正
時間割番号	単位数	コース	履修年次	期別	曜日	時限
401110	2	(未登録)	1	後期	木	II
［概要と目標］
半導体中での光過程（吸収、発光）、および光過程について講義します。次に、これを理解した上での応用例として、フォトダイオードの原理、設計などについて講義します。
［必要知識・準備］
半導体に関する一般的知識を必要とします。
［評価基準］
簡単な構造のpn接合フォトダイオードの設計（詳細は講義で説明）について、レポートを提出していただき、その内容によって評価します。
［教科書］
(未登録)
［参考書］
J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors, Prentice-Hall, (Chap.3-6) S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Second Edition), John Wiley & Sons, (Chap.13)
［講義項目］
半導体中での光過程（吸収、発光）について講義し、その原理を理解した上で、デバイスへの応用例として、フォトダイオードの原理、設計指針について講義する。 １．半導体中の吸収過程 　1)基礎吸収 　2)励起子吸収　 　3)不純物が関与した遷移 　4)帯内遷移 ２．半導体中の放射過程 　1)発光効率　 　2)基礎遷移 　3)バンドと不純物準位間の遷移 　4)D-A対遷移 ３．これらの光過程を理解した上で、pn接合フォトダイオードを設計するとともに、さらに、設計したフォトダイオ−ドの受光感度や効率について、シミュレ−ションによってその特性を検証する。