授業科目名				担当教官
結晶工学特論 (本年度非開講)				春日　正伸／霜村　　攻／鍋谷　暢一
時間割番号	単位数	コース	履修年次	期別	曜日	時限
322320	2	(未登録)	1	後期	月	I
［概要と目標］
シリコンや水晶に代表されるようなバルク結晶が通信やコンピュータなどの現代技術を支えている。これらバルク結晶を育成する基礎的技術を、物理や化学の基礎にたって理解し、必要に応じて実行しうる知識を修得することを目的とする。 　一方電子デバイスや光デバイスの多くは、何らかの基板上に成長したエピタキシャル結晶を利用して作製する。その背景には、分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法に代表される非平衡状態での結晶成長技術の進歩がある。ここでは、ナノスケールで制御された量子井戸やヘテロ界面の形成に不可欠なエピタキシー技術と、エピタキシャル結晶の構造・物性・評価方法について学ぶ。
［必要知識・準備］
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［評価基準］
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［教科書］
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［参考書］
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［講義項目］
(未登録)