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授業科目名
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担当教官
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電子デバイス工学II
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加藤 孝正
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 262070 | 2 | E | 3 | 後期 | 金 | I |
| ［概要と目標］ | ||||||
| 最近のパ−ソナルコンピュ−タの進歩には目を見張るものがあります。コンピュ−タを始めとするエレクトロニクス産業をここまで発展させてきたものは、半導体技術とりわけ、MOS集積回路技術の進歩です。本講義では、電子デバイス工学IIの後を受けて、サイリスタ、金属−半導体接合（ショットキ−ダイオ−ド、オ−ム接触）、MOSダイオード、MOSトランジスタ、LSI技術について学んでいきます。 | ||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||
| 電子デバイス工学Iの内容をよく復習しておいて下さい。エネルギ−バンド図の書き方、見方についてもよく復習しておいて下さい。これらの内容が分からないと理解が困難となります。 | ||||||
| ［評価基準］ | ||||||
| 学習した内容を理解しているかどうかを中間試験（45%)、期末試験（45%)によって確認するとともに、日常の学習状況をレポート、学習態度等（10%)によって評価します。 | ||||||
| ［教科書］ | ||||||
| ［参考書］ | ||||||
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| ［講義項目］ | ||||||
| １．サイリスタ a)構造とその動作 b)CMOSデバイス中での寄生サイリスタ ２．金属−半導体接合 a)ショットキ−障壁 b)オ−ム接触 ３．MOS構造の物理 a) 理想的MOS構造のエネルギ−バンド図 b) 理想的なＣ−Ｖ曲線 c) フラットバンド電圧とMOS反転のしきい値電圧 d) 表面準位の生成原因と表面の不安定性 ４．MOSトランジスタ a) MOSトランジスタの構造と動作原理 b) 電流−電圧特性の解析 c) しゃ断周波数とスイッチング特性 d) MOSインバ−タと応答特性 ５．デバイスおよびプロセス技術から見たＬＳＩ技術 a) ショ−トチャネル効果と比例縮小則 b) DRAMとSRAM c) CMOSのラッチアップ d) 不揮発メモリ−LSI |
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