授業科目名				担当教官
半導体デバイス工学特論				加藤　孝正
時間割番号	単位数	コース	履修年次	期別	曜日	時限
416360	2	(未登録)	1	後期	木	II
［概要と目標］
＜加藤孝正教授＞ 半導体中での光過程（吸収、発光）について講義し、その原理を理解した上で、デバイスへの応用例として、フォトダイオードの原理、設計指針について講義する。半導体中の吸収過程では、1)基礎吸収、2)励起子吸収、3)不純物が関与した遷移、4)帯内遷移について詳説する。放射過程では、1)発光効率、2)基礎遷移、3)バンドと不純物準位間の遷移、4)D-A対遷移について詳述する。これらの光過程を理解した上で、pn接合フォトダイオードを設計するとともに、さらに、設計したフォトダイオ−ドの受光感度や効率について、シミュレ−ションによってその特性を検証する。
［必要知識・準備］
(未登録)
［評価基準］
(未登録)
［教科書］
［参考書］
［講義項目］
(未登録)