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授業科目名
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担当教官
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半導体デバイス工学特論
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加藤 孝正
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 401110 | 2 | (未登録) | 1 | 後期 | 木 | II |
| ［概要と目標］ | ||||||
| この講義は半導体中での光過程（吸収、発光）、および光過程を理解した上での応用例として、フォトダイオードの原理、設計などについて講義します。 | ||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||
| 半導体に関する一般的知識を必要とします。 | ||||||
| ［評価基準］ | ||||||
| 講義内容に関連する課題についてレポートを提出していただきます。レポートの内容で評価します。 | ||||||
| ［教科書］ | ||||||
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| ［参考書］ | ||||||
| ［講義項目］ | ||||||
| １． 半導体中の吸収過程 1-1. 基礎吸収 1-2. 励起子吸収 1-3. 不純物が関与した遷移 1-4. 帯内遷移 ２． 放射遷移 2-1. 発光効率 2-2. 基礎遷移 2-3. バンドと不純物準位間の遷移 2-4. D-A対遷移 ３．フォトダイオードの設計 |
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