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授業科目名
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担当教官
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半導体素子工学特論
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中川 清和
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 322335 | 2 | (未登録) | 1 | 後期 | 水 | III |
| ［概要と目標］ | ||||||
| 高度情報化社会を支えるキー技術としてエレクトロニクス技術が挙げられる。今日エレクトロニクスは不可欠のものとなっており、1948年のトランジスタの発明以来今なお発展を続けている。エレクトロニクスの核となる電子デバイスの物理を把握することを目的とする。 | ||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||
| 量子力学、電磁気学 | ||||||
| ［評価基準］ | ||||||
| 評価基準は、目標の半導体素子技術に関する全体像を把握することであり、目標達成度で評価を行います。出席、随時行う小テストおよび定期試験の成績を総合評価します。 | ||||||
| ［教科書］ | ||||||
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| ［参考書］ | ||||||
| ［講義項目］ | ||||||
| １．半導体の基礎（金属・半導体・絶縁体の電気伝導、結晶構造） ２．電子のエネルギー準位と運動バンド構造（原子のエネルギーレベル、結晶のエネルギーレベル） ３．キャリア密度とキャリアの振る舞い（真性半導体、不純物半導体、フェルミレベル） ４．電流（ドリフト電流と拡散電流） ５．異種物質の接合（拡散電位、整流作用、接合の静電容量） ６．電界効果トランジスタ（界面の蓄積状態・空乏状態・反転状態、MOS構造の静電容量） ７．MOSトランジスタの構造と作製法1（基本構造、作製技術1） ８．MOSトランジスタの構造と作製法2（作製技術2） ９．MOSトランジスタの動作（動作による分類、特性パラメータ） １０．集積回路1（インバータ、メモリ） １１．集積回路2（短チャネル効果とスケーリング） １２．光電素子 １３．その他の半導体素子 １４．評価技術（不純物濃度計測、構造解析、エネルギーレベル評価） １５．定期試験 |
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