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授業科目名
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担当教官
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電子デバイス工学I
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松本 俊
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 262042 | 2 | E | 3 | 前期 | 木 | II |
| ［概要と目標］ | ||||||
| 概要： エレクトロニクスを支えている機器・装置・システムは様々な機能を持った電子デバイスで構成されており、電子デバイスの多くは半導体で作られている。本講義では、先ず半導体とよばれる物質の性質を理解し、続いて基本的な電子デバイスであるｐｎ接合ダイオードとバイポーラトランジスタについて構造、動作原理、特性を学ぶ。 到達目標： 半導体のエネルギーバンドの考え方を理解する。 半導体中のキャリアの運動と統計を理解する。 ｐｎ接合の原理と動作を理解する。 接合トランジスタの原理と動作を理解する。 |
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| ［必要知識・準備］ | ||||||
| 電磁気学の基礎事項、ベクトル演算、簡単な線形微分方程式 | ||||||
| ［評価基準］ | ||||||
| 中間試験と定期試験の成績を併せて１００点満点で評価する。 講義の進展にあわせてレポート課題を出題し、評価に加味する。 |
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| ［教科書］ | ||||||
| ［参考書］ | ||||||
| ［講義項目］ | ||||||
| 半導体のエネルギーバンド構造 １．自由空間の電子波と基本方程式、格子と逆格子 ２．結晶内の電子波、波数、エネルギーギャップ ３．状態密度、バンド構造と電気的性質 半導体のキャリア ４．電子と正孔、ドナーとアクセプタ ５．フェルミディラック分布、半導体のキャリアの統計分布 輸送現象 ６．ドリフト運動、散乱機構 ７．ホール効果、拡散電流とドリフト電流 非平衡状態のキャリア ８．誘電緩和、注入、再結合、寿命 ｐｎ接合 ９．空乏層、拡散電位、逆バイアス １０．順バイアス、電流電圧特性 １１．空乏層容量、逆電流、降伏 バイポーラトランジスタ １２．トランジスタ動作、電流増幅率 １３．電流電圧特性、等価回路 １４．交流動作、スイッチング動作 |
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