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授業科目名
担当教員
エレクトロニクス特論
居島 薫
時間割番号
単位数
コース
履修年次
期別
曜日
時限
GTZ504 2 (未登録) 1 前期 II
[概要と目標]
素子特性とその回路化の基礎として,キルヒホッフの法則に代表される解析手法を習得する.また,複数のデバイスを材料特性を生かしつつ集積化する方法と,システムとして機能させる方法を理解し設計する.
[到達目標]
1)基本的な回路構成とその特性の解析を実施できる.
2)SRAMに代表されるシステムの概要を設計する.
(3)バンドギャップ参照回路の温度特性を,集積回路の特性を利用して設計する.
[必要知識・準備]
半導体材料 電磁気学  
[評価基準]
No評価項目割合評価の観点
1試験:期末期 50  %他の評価と総合して6割を習得していること 
2小テスト/レポート 50  %他の評価と総合して6割を習得していること 
[教科書]
(未登録)
[参考書]
  1. Simon. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, ISBN:0-471-05661-8
[講義項目]
*第1~7回は居島,第8~15回は加藤が担当する.

(要素技術)
第1回 回路網の諸計算法
第2回 受動素子
第3回 回路網の諸計算(入出力インピーダンス)
第4回 電力
第5回 過渡応答能動素子(主に飽和領域)
第6回 能動素子(主に飽和領域)
第7回 デジタル回路  

(集積化技術)
第8回  材料特性とリトグラフ技術
第9回  半導体の基本特性
第10回 ダイオード特性とMOSトランジスタ
第11回 BGA回路とその集積回路化
第12回 メモリ要素技術1(カレントミラーとセンスアンプ)
第13回 メモリ要素技術2(周波数特性)
第14回 バンドギャップ参照回路の設計
第15回 まとめと評価
[前年度授業に対する改善要望等への対応]
担当者変更