授業科目名
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半導体デバイス工学
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時間割番号
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TAM304
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担当教員名
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有元 圭介
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開講学期・曜日・時限
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後期・水・III
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単位数
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2
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<対象学生>
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(未登録)
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<授業の目的>
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電子回路を構成する電子部品の特性を理解する。能動素子の材料である半導体の性質と、半導体で構成される能動部品(トランジスタなど)の特性を理解する。
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<本授業科目による獲得・涵養が特に期待されるコンピテンシー>(能力・資質)
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工学部>先端材料理工学科向け | 記号 | コンピテンシー(能力・資質) | |
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AM-A | 専門 | 2.専門的知識・技術 | 材料科学 | ○ | AM-B | 量子デバイス | ◎ |
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<到達目標> 到達目標とは
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目標NO | 説明 | コンピテンシーとの対応 |
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AM |
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1 | 半導体中のキャリアの振る舞いを統計力学・量子力学・電磁気学・固体物理学の概念を用いて説明できる | AM-A | 2 | 共有結合、フェルミレベル、半導体のバンド構造、pn接合の構造と整流動作、ショットキー接合の構造と整流動作、MOS構造と蓄積、空乏、反転状態、MOSトランジスタの構造と動作、インバーターの構造、半導体メモリの構造の基礎的事項を説明できる。 | AM-B |
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<成績評価の方法>
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目標No | 割合 | 評価の観点 |
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1 | 50% | テスト・課題により評価する | 2 | 50% | テスト・課題により評価する | 合計 | 100% | |
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<授業の方法>
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状況が許せば面接授業とする。 やむを得ずオンラインになる場合はライブ型で実施する。
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<受講に際して・学生へのメッセージ>
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電磁気学、熱統計力学、固体物理学の基礎知識を身につけていることが望ましい。
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<テキスト>
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- 柴田 直, 半導体デバイス入門 その原理と動作のしくみ, 数理工学社, ISBN:9784864810180
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<参考書>
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- S. M. Sze, Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience, ISBN:10-0471143235
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<授業計画の概要>
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1 | タイトル | 半導体デバイスの概要 |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | 半導体デバイスの種類や機能について学ぶ |
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2 | タイトル | エネルギーバンド構造 |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | 固体物理学の初歩的事項を復習し、半導体のエネルギーバンド構造やn型・p型不純物の働きについて学ぶ |
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3 | タイトル | フェルミ統計と半導体中のキャリア分布 |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | 熱統計力学の基礎を復習し、半導体中のキャリアのエネルギー分布について学ぶ |
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4 | タイトル | 半導体中の電気伝導 |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | 電流連続の式、キャリアの生成や再結合について学ぶ |
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5 | タイトル | pn接合のバンド構造 |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | pn接合の構造やバンド構造について学び、空乏層幅の電圧依存性等を導く |
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6 | タイトル | pn接合の電流・電圧特性 |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | pn接合の電流・電圧特性を導く |
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7 | タイトル | ショットキー接合 |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | ショットキー接合のバンド構造や電流・電圧特性について学ぶ |
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8 | タイトル | バイポーラトランジスタの構造と動作原理 |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | バイポーラトランジスタの構造・動作原理を学び、電流増幅率を導く |
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9 | タイトル | MOS構造のエネルギーバンド構造 |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | MOS構造のエネルギーバンド構造を学び、蓄積状態・フラットバンド状態・反転状態・強反転状態等について学ぶ |
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10 | タイトル | MOS構造の容量特性 |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | 静電容量について復習し、MOS構造の容量特性について学ぶ |
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11 | タイトル | MOSFETの構造と動作原理 |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | MOSFETの構造と動作原理、ドレイン電流のバイアス電圧依存性について学ぶ |
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12 | タイトル | MOSFETの特性評価法・短チャネル効果 |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | MOSFETの特性評価法や短チャネル効果について学ぶ |
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13 | タイトル | パワーデバイス |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | パワーデバイスの動作原理について学ぶ |
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14 | タイトル | 光デバイス |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
課題に取り組む |
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授業内容 | 発光デバイスや太陽電池について学ぶ |
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15 | タイトル | 総括 |
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事前学習 事後学習 | 教科書と資料を用いて予習する
復習する |
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授業内容 | 演習問題に取り組み、重要事項の復習を行う。 |
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16 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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17 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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18 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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19 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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20 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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21 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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22 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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23 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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24 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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25 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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26 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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27 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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28 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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29 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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30 | タイトル | |
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事前学習 事後学習 | |
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授業内容 | |
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<備考>
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(未登録)
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