| 授業科目名 | 半導体デバイス工学 | 
	 
	
		| 時間割番号 | TAM304 | 
	
		| 担当教員名 | 有元 圭介 | 
	 
		| 開講学期・曜日・時限 | 後期・水・III | 単位数 | 2 | 
	
		| <対象学生> | 
	
		| (未登録) | 
	
		| <授業の目的> | 
	
		| 電子回路を構成する電子部品の特性を理解する。能動素子の材料である半導体の性質と、半導体で構成される能動部品(トランジスタなど)の特性を理解する。 | 
	
		| <本授業科目による獲得・涵養が特に期待されるコンピテンシー>(能力・資質) | 
	
		| | 工学部>先端材料理工学科向け |  | | 記号 | コンピテンシー(能力・資質) |  | 
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 | AM-A | 専門 | 2.専門的知識・技術 | 材料科学 | ○ |  | AM-B | 量子デバイス | ◎ | 
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		| <到達目標>  到達目標とは | 
	| | 目標NO | 説明 | コンピテンシーとの対応 | 
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 | AM | 
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 | 1 | 半導体中のキャリアの振る舞いを統計力学・量子力学・電磁気学・固体物理学の概念を用いて説明できる | AM-A |  | 2 | 共有結合、フェルミレベル、半導体のバンド構造、pn接合の構造と整流動作、ショットキー接合の構造と整流動作、MOS構造と蓄積、空乏、反転状態、MOSトランジスタの構造と動作、インバーターの構造、半導体メモリの構造の基礎的事項を説明できる。 | AM-B | 
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		| <成績評価の方法> | 
	
		| | 目標No | 割合 | 評価の観点 | 
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 | 1 | 50% | テスト・課題により評価する |  | 2 | 50% | テスト・課題により評価する |  | 合計 | 100% |  | 
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		| <授業の方法> | 
	
		| 状況が許せば面接授業とする。 やむを得ずオンラインになる場合はライブ型で実施する。
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		| <受講に際して・学生へのメッセージ> | 
	
		| 電磁気学、熱統計力学、固体物理学の基礎知識を身につけていることが望ましい。 | 
	
		| <テキスト> | 
	
		| 
柴田 直, 半導体デバイス入門 その原理と動作のしくみ, 数理工学社, ISBN:9784864810180
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		| <参考書> | 
	
		| 
S. M. Sze, Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience, ISBN:10-0471143235
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		| <授業計画の概要> | 
	
		| | 1 | タイトル | 半導体デバイスの概要 | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | 半導体デバイスの種類や機能について学ぶ | 
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 | 2 | タイトル | エネルギーバンド構造 | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | 固体物理学の初歩的事項を復習し、半導体のエネルギーバンド構造やn型・p型不純物の働きについて学ぶ | 
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 | 3 | タイトル | フェルミ統計と半導体中のキャリア分布 | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | 熱統計力学の基礎を復習し、半導体中のキャリアのエネルギー分布について学ぶ | 
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 | 4 | タイトル | 半導体中の電気伝導 | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | 電流連続の式、キャリアの生成や再結合について学ぶ | 
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 | 5 | タイトル | pn接合のバンド構造 | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | pn接合の構造やバンド構造について学び、空乏層幅の電圧依存性等を導く | 
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 | 6 | タイトル | pn接合の電流・電圧特性 | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | pn接合の電流・電圧特性を導く | 
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 | 7 | タイトル | ショットキー接合 | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | ショットキー接合のバンド構造や電流・電圧特性について学ぶ | 
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 | 8 | タイトル | バイポーラトランジスタの構造と動作原理 | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | バイポーラトランジスタの構造・動作原理を学び、電流増幅率を導く | 
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 | 9 | タイトル | MOS構造のエネルギーバンド構造 | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | MOS構造のエネルギーバンド構造を学び、蓄積状態・フラットバンド状態・反転状態・強反転状態等について学ぶ | 
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 | 10 | タイトル | MOS構造の容量特性 | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | 静電容量について復習し、MOS構造の容量特性について学ぶ | 
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 | 11 | タイトル | MOSFETの構造と動作原理 | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | MOSFETの構造と動作原理、ドレイン電流のバイアス電圧依存性について学ぶ | 
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 | 12 | タイトル | MOSFETの特性評価法・短チャネル効果 | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | MOSFETの特性評価法や短チャネル効果について学ぶ | 
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 | 13 | タイトル | パワーデバイス | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | パワーデバイスの動作原理について学ぶ | 
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 | 14 | タイトル | 光デバイス | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 課題に取り組む
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 | 授業内容 | 発光デバイスや太陽電池について学ぶ | 
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 | 15 | タイトル | 総括 | 
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 | 事前学習 事後学習
 | 教科書と資料を用いて予習する 復習する
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 | 授業内容 | 演習問題に取り組み、重要事項の復習を行う。 | 
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 | 16 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 17 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 18 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 19 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 20 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 21 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 22 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 23 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 24 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 25 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 26 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 27 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 28 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 29 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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 | 30 | タイトル |  | 
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 | 事前学習 事後学習
 |  | 
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 | 授業内容 |  | 
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		| <備考> | 
	
		| (未登録) |