授業科目名				担当教員
半導体プロセス工学				近藤　英一
時間割番号	単位数	コース	履修年次	期別	曜日	時限
TAM318	2	(未登録)	3	後期	水	II
［概要］
☆キャッチフレーズ☆ 　「気体を工具につかう！？」ナノ加工を習得して一歩リード 平面ＴＶ，コンピューター，携帯電話，ゲーム機器などなどなど...　日本の工業の牽引力は，情報機器の製造技術なのです。そこに使われている中心・最高の技術がマイクロ加工・ナノ加工技術なのです。 　授業では，「ドライプロセス」を中心に講義します。これは現在工業的に用いられている唯一の超微細加工技術で，非常に大きな産業規模をもっています。皆さんがこの知識を得ることは，現代の材料エンジニアになるためには必須と考えています。含まれる技術は多岐にわたるので、用いられる代表的な物理・化学手法のいくつかをとりあげ、その基本について説明します。
［具体的な達成目標］
以下について用語や数式を理解し，図を用いて論述でき，かつ教科書の章末問題（標準問題集兼）および授業中に出題する問題について独力で解けること。それらについて問う試験で６０％以上の得点が得られること。 　気体の状態方程式をもとに分子密度，分子速度の関係を導出できる 　気体分子のエネルギーを求める式を理解している 　気体の入射流束を求めることができる 　真空装置の原理と構造を理解し記述できる 　荷電粒子の電界による加速を理解している　エネルギーを求めることができる 　粒子間の衝突とエネルギー転移を数式を用いて記述できる 　非弾性衝突過程，表面に入射した粒子の過程を記述できる 　プラズマの状態と内部での物理現象 　プラズマを使った加工の原理を理解し記述できる 　薄膜とその堆積方法・装置を記述できる 　フォトリソグラフィ工程やその材料について知識がある 　マイクロ加工工程を全体的に理解し，工程ごとの形状を記述できる
［必要知識・準備］
物理、化学、および数学の知識が必要です。数学はせいぜい大学初級の微積分学程度です。講義前半は物理ないし物理化学的な内容が主になります。後半は化学的な内容を多く含みます。 　極めて平易な内容なのですが，新奇に感じる概念・内容を多く含んでいますので，最初は難しく感じるかもしれません。物理系・化学系双方の学生に親しみの持てる内容と思います。奮って受講してください。
［評価方法・評価基準］
No 評価項目 割合 評価の観点 1 試験：期末期  40  % 達成目標，教育方法に記載，範囲は中間試験以降の内容  2 試験：中間期  40  % 達成目標，教育方法に記載  3 受講態度  20  % 毎回の小演習に対する取り組み
［教科書］
近藤英一, 機械・材料系のためのマイクロ・ナノ加工学の原理, 共立出版, ISBN:4320081544
［参考書］
(未登録)
［講義項目］
１，気体の密度と真空、状態方程式 　　２，気体の運動の速度とエネルギー 　　３，平均自由行程と衝突確率 　　４，マックスウェルボルツマン方程式 　　５，気体粒子の衝突 　　６，非弾性衝突と弾性衝 　　７，中間評価（試験形式）、ふりかえり 　　８，プラズマ処理装置 　　９，蒸着法 　　１０，膜厚分布と薄膜の堆積過程 　　１１，ウェットエッチとドライエッチ 　　１２，ドライエッチングの速度 　　１３，リソグラフィ技術とパターニング 　　１４，集積回路の構造と作成プロセス 　　１５，総合評価（試験形式）、ふりかえり
［教育方法］
教科書に沿って講義を行うが，ＯＨＰやスライドなどを併用する。ＯＨＰやスライドは紙芝居ではなく黒板と同等であるので十分にノートすること。ビデオ教材により実際の現場を見る。 毎回「小演習」を行います。毎回回収・点検後返却します。この小演習の解答内容自体（正解不正解）は採点・評価しませんが，演習への取組状況は平常点として評価します。詳しくはガイダンスで説明します。
［JABEEプログラムの学習・教育目標との対応］
(未登録)
［その他］
オフィスアワー　昼休み、月曜午後５--６時　A7-204教官室