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授業科目名
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担当教員
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半導体デバイス工学
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有元 圭介
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| TAM304 | 2 | (未登録) | 3 | 後期 | 水 | III | ||||||||||||
| ［概要］ | ||||||||||||||||||
| 電子回路を構成する電子部品の特性を理解する。能動素子の材料である半導体の性質と、半導体で構成される能動部品（トランジスタなど）の特性を理解する。 | ||||||||||||||||||
| ［具体的な達成目標］ | ||||||||||||||||||
| 以下のような半導体デバイスの基礎的事項について説明できる。 （ア）フェルミレベル （イ）半導体のバンド構造 （ウ）pn接合の構造と整流動作について （エ）ショットキー接合の構造と整流動作について （オ）バイポーラトランジスタの動作について （カ）MOS構造と蓄積、空乏、反転状態について （キ）MOSトランジスタの構造と動作について |
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| ［必要知識・準備］ | ||||||||||||||||||
| 電磁気学、熱統計力学、固体物理学の基礎知識を身につけていることが望ましい。 | ||||||||||||||||||
| ［評価方法・評価基準］ | ||||||||||||||||||
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| ［教科書］ | ||||||||||||||||||
| ［参考書］ | ||||||||||||||||||
| ［講義項目］ | ||||||||||||||||||
| １． 共有結合と固体のエネルギーバンド ２． フェルミ統計と半導体中のキャリア分布 ３． キャリアの生成・消滅と拡散現象 ４． pn接合と整流特性 ５． ショットキー接合と整流特性 ６． バイポーラトランジスタの構造と動作原理 ７． MOS構造と電荷分布 ８． MOSFETの構造と動作原理および特性評価法 ９． 短チャネル効果 １０． 種々のインバータとその特徴 １１． 論理回路の構造と動作原理 １２． 半導体メモリの構造と動作原理 １３． ヘテロ構造デバイスの構造と動作原理 １４． 発光ダイオードとレーザー １５． 電荷結合素子および総括・評価 |
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| ［教育方法］ | ||||||||||||||||||
| 教科書に沿って講義を行います。 | ||||||||||||||||||
| ［JABEEプログラムの学習・教育目標との対応］ | ||||||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||||||
| ［その他］ | ||||||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||||||