授業科目名				担当教員
半導体デバイス工学特論				矢野　浩司／小野島　紀夫
時間割番号	単位数	コース	履修年次	期別	曜日	時限
PTB702	2	(未登録)	1	後期	木	II
［概要と目標］
１．電力増幅用高周波デバイスおよびパワーデバイスを主とした半導体デバイスの先端技術において、それらの動作原理や解析技法、性能評価法を理解することを目標とする。<BR><BR>２．有機半導体デバイスの動作原理について無機半導体と対比してその違いを理解し，現状の課題に対する解決策や有機材料の特徴を生かした将来展開について議論する．
[到達目標]
1)内部の電位分布およびキャリア分布と関連づけながら、半導体デバイスの動作を説明出来る。<BR>2)半導体工学における簡易的な解析式により、おおよその素子設計が出来る。<BR>3)有機半導体デバイスの動作メカニズムを説明出来る。
［必要知識・準備］
半導体物性、デバイスの基礎知識
［評価基準］
No 評価項目 割合 評価の観点 1 小テスト／レポート  100  % 関連する題材に対してプレゼンテーションを実施しながら対話的に議論を進め、主として基礎学力、理解度、応用力について評価する
［教科書］
(未登録)
［参考書］
Power semiconductor devices, PWS publishing company, ISBN:0534940986 S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, ISBN:0471056618
［講義項目］
1. 半導体基礎電子物性<BR>2. 半導体パワーデバイスの種類と変遷<BR>3. パワーデバイス等の動作原理<BR>4. 各種デバイスのシステムへの応用<BR>5. 有機エレクトロニクスの背景と将来展望<BR>6. 有機半導体材料の化学的性質とデバイス物理<BR>7. 有機半導体デバイスの作製技術