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授業科目名
担当教員
エレクトロニクス特論
加藤 初弘/居島 薫
時間割番号
単位数
コース
履修年次
期別
曜日
時限
GTZ504 2 (未登録) 1 後期 II
[概要と目標]
素子特性とその回路化の基礎として,キルヒホッフの法則に代表される解析手法を習得する.また,複数のデバイスを材料特性を生かしつつ集積化する方法と,システムとして機能させる設計方法を理解ずる.
[到達目標]
1)基本的な回路構成とその特性の解析を実施できる.<BR>2)インターフェースのビット構成などを考慮してSRAMに代表されるシステムの概要を設計する.
[必要知識・準備]
半導体材料 電磁気学
[評価基準]
No評価項目割合評価の観点
1試験:期末期 50  %他の評価と総合して6割を習得していること 
2小テスト/レポート 50  %他の評価と総合して6割を習得していること 
[教科書]
(未登録)
[参考書]
  1. Simon. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, ISBN:0-471-05661-8
[講義項目]
*第1〜7回は居島,第8〜15回は加藤が担当する.<BR><BR>(要素技術)<BR>第1回 回路網の諸計算法<BR>第2回 受動素子<BR>第3回 回路網の諸計算(入出力インピーダンス)<BR>第4回 電力<BR>第5回 過渡応答能動素子(主に飽和領域)<BR>第6回 能動素子(主に飽和領域)<BR>第7回 デジタル回路<BR><BR>(集積化技術)<BR>第8回  材料特性とリトグラフ技術<BR>第9回  半導体の基本特性<BR>第10回 ダイオード特性とMOSトランジスタ<BR>第11回 BGA回路とその集積回路化<BR>第12回 メモリ要素技術1(カレントミラーとセンスアンプ)<BR>第13回 メモリ要素技術2(周波数特性)<BR>第14回 SRAMのメモリの設計<BR>第15回 まとめと評価