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授業科目名
担当教員
電子デバイス工学I演習
鍋谷 暢一/小野島 紀夫
時間割番号
単位数
コース
履修年次
期別
曜日
時限
TEE304 1 EE,E 3 前期 I
[概要]
 「電子デバイス工学 I」の講義で学んだ内容をより一層確実なものにし、半導体と半導体デバイスの理解を深めるため、講義に関連する演習を行う。
[具体的な達成目標]
(ア)代表的な半導体の結晶構造を説明できる
(イ)結晶内の電子波の振る舞いを説明できる
(ウ)エネルギーギャップを説明できる
(エ)状態密度、有効質量を説明できる
(オ)自由電子と正孔を説明できる
(カ)ドナーとアクセプタの役割を説明できる
(キ)半導体中のキャリア密度を計算できる
(ク)キャリアの運動、散乱を説明できる
(ケ)キャリアの生成、再結合を説明できる
(コ)pn接合を説明できる
(サ)pn接合ダイオードの動作を説明できる
(シ)バイポーラトランジスタの動作を説明できる
(ス)バイポーラトランジスタの等価回路を説明できる
[必要知識・準備]
電磁気学の基礎事項、ベクトル演算、簡単な線形微分方程式
[評価方法・評価基準]
No評価項目割合評価の観点
1小テスト/レポート 100  %毎回の演習結果と数回のレポート。評価結果から上記到達目標の6割以上を達成したと認められるものを合格とする. 
[教科書]
  1. 松本智, 半導体デバイスの基礎, 培風館, ISBN:4-563-03685-4
[参考書]
  1. 半導体デバイス, 産業図書, ISBN:4782855257
  2. 固体物理学入門 上 第7版, 丸善株式会社, ISBN:4621076531
[講義項目]
1.半導体の結晶とエネルギーバンド
2.キャリアの密度と運動
3.pn接合の構造とバンド図
4.pn接合の電流電圧特性
5.pn接合の容量電圧特性
6.バイポーラトランジスタの基本動作
7.バイポーラトランジスタの電流電圧特性

これらの項目についてそれぞれ2回程度ずつ試験形式の演習を行う。
[教育方法]
本演習は「電子デバイス工学I」の講義と並行して進行する。毎週の講義内容に関する演習問題を各自が解くことにより、半導体と電子デバイスに関する理解を深める。
[JABEEプログラムの学習・教育目標との対応]
《電気電子システム工学科》
C-6:電気電子工学分野の専門的課題を解決する能力を養う
演習科目・実習科目において専門的な課題を理解・解決し,必修の実験科目において講義で身につけた専門知識を駆使して実験を遂行する過程を通じて,電気電子工学分野の専門的課題を解決する能力を養う
 
[その他]
(未登録)