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授業科目名
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担当教員
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半導体デバイス工学
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有元 圭介
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| TAM304 | 2 | (未登録) | 3 | 後期 | 水 | III | ||||||||||||
| ［概要］ | ||||||||||||||||||
| 電子回路を構成する電子部品の特性を理解することを目標とする。能動素子の材料である半導体の性質と、半導体で構成される能動部品（トランジスタなど）の特性を理解する。 | ||||||||||||||||||
| ［具体的な達成目標］ | ||||||||||||||||||
| （ア）フェルミレベルとは何かを説明できる。<BR>（イ）半導体のバンド構造を説明できる。<BR>（ウ）pn接合の構造と整流動作について説明できる。<BR>（エ）ショットキー接合の構造と整流動作について説明できる。<BR>（オ）バイポーラトランジスタの動作について説明できる。<BR>（カ）MOS構造と蓄積、空乏、反転状態について説明できる。<BR>（キ）MOSトランジスタの構造と動作について説明できる。 | ||||||||||||||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||||||||||||||
| 電磁気学、熱統計力学、固体物理学の基礎知識を身につけていることが望ましい。 | ||||||||||||||||||
| ［評価方法・評価基準］ | ||||||||||||||||||
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| ［教科書］ | ||||||||||||||||||
| ［参考書］ | ||||||||||||||||||
| ［講義項目］ | ||||||||||||||||||
| １． 共有結合と固体のエネルギーバンド<BR>２． フェルミ統計と半導体中のキャリア分布<BR>３． キャリアの生成・消滅と拡散現象<BR>４． pn接合と整流特性<BR>５． ショットキー接合と整流特性<BR>６． バイポーラトランジスタの構造と動作原理<BR>７． MOS構造と電荷分布<BR>８． MOSFETの構造と動作原理および特性評価法<BR>９． 短チャネル効果<BR>１０． 種々のインバータとその特徴<BR>１１． 論理回路の構造と動作原理<BR>１２． 半導体メモリの構造と動作原理<BR>１３． ヘテロ構造デバイスの構造と動作原理<BR>１４． 発光ダイオードとレーザー<BR>１５． 電荷結合素子および総括・評価 | ||||||||||||||||||
| ［教育方法］ | ||||||||||||||||||
| 教科書に沿って講義を行います。 | ||||||||||||||||||
| ［JABEEプログラムの学習・教育目標との対応］ | ||||||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||||||
| ［その他］ | ||||||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||||||