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授業科目名
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担当教員
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結晶工学特論
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村中 司／鍋谷 暢一
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| GTE504 | 2 | (未登録) | 1 | 前期 | 金 | II | ||||||||
| ［概要と目標］ | ||||||||||||||
| 電子デバイスや光デバイスの多くは，何らかの基板結晶上に成長したエピタキシャル結晶を利用して作製される．その技術的背景として，分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法に代表される結晶成長技術の革新的な進歩があり，これら技術を理解することがデバイスの理解に必要不可欠である．本論では，ナノスケールで制御された量子井戸構造やヘテロ界面の形成に不可欠な成長技術と，エピタキシャル結晶の構造・物性・評価方法，さらに，デバイス作製のプロセス技術等について学ぶ． | ||||||||||||||
| [到達目標] | ||||||||||||||
| 各種結晶成長法，半導体デバイスプロセス技術，結晶の物性評価法，結晶の構造評価方法を理解し，説明できる． | ||||||||||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||||||||||
| 大学の学部程度の物理学と化学の知識を基礎とする．<BR>ダイオードやトランジスタなど、初歩的な電子デバイスの構造や原理． | ||||||||||||||
| ［評価基準］ | ||||||||||||||
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| ［教科書］ | ||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||
| ［参考書］ | ||||||||||||||
| ［講義項目］ | ||||||||||||||
| 第１回 結晶成長の基礎（鍋谷）<BR>第２回 エピタキシーの必要性（鍋谷）<BR>第３回 エピタキシーが適用される結晶（鍋谷）<BR>第４回 種々のエピタキシー（鍋谷）<BR>第５回 結晶成長方法と装置の構成（鍋谷）<BR>第６回 結晶評価方法（構造評価）（鍋谷）<BR>第７回 結晶評価方法（光学特性評価）（鍋谷）<BR>第８回 結晶評価方法（電気的特性評価）（鍋谷）<BR>第９回 結晶成長とデバイス応用(1)（村中）<BR>第１０回 結晶成長とデバイス応用(2)（村中）<BR>第１１回 集積回路の基礎（村中）<BR>第１２回 集積回路製造技術(1)（村中）<BR>第１３回 集積回路製造技術(2)（村中）<BR>第１４回 集積回路製造技術(3)（村中）<BR>第１５回 総括・まとめ（鍋谷・村中） | ||||||||||||||