授業科目名				担当教員
マイクロエレクトロニクス特論				加藤　初弘
時間割番号	単位数	コース	履修年次	期別	曜日	時限
327680	2	(未登録)	1	前期	火	III
［概要と目標］
技術動向の発展を可能とする原理を，微細加工とデバイス特性の相乗的な発展（スケーリング則）を例として紹介．また，マイクロデバイスの新しい発展を文献調査により主体的に調査する
[到達目標]
A） リソグラフによる加工技術<BR>B) MOSのSPICEモデル<BR>Ｃ）メモリのアーキテクチャ<BR>Ｄ)マイクロデバイスに関する最近の文献の調査
［必要知識・準備］
１）半導体の基礎　 ２）回路要素の基礎　 ２）微分方程式
［評価基準］
No 評価項目 割合 評価の観点 1 小テスト／レポート  67  % レポートの「i)背景」「ii)目的」「iii)方法」「iV)結論」  2 受講態度  33  % 受講の状況（出席，問答，資料例出）
［教科書］
(未登録)
［参考書］
榎本忠義, ＣＭＯＳ集積回路, 倍風館
［講義項目］
Ａ．デバイス構造<BR>　１．材料特性と薄膜技術<BR>　２．キャリア導入<BR>　３．トランジスタ構造<BR>　４．ＭＯＳモデル<BR>　５．スケーリング則<BR><BR>Ｂ　．加工技術 <BR>　１．微細加工技術の概要<BR>　２．リソグラフによるパターニング<BR>　３．ユニットプロセスとスループロセス<BR>　４．三次元加工<BR><BR>Ｃ．　集積化技術<BR>　１．回路技術　（論理回路とMUX/DMUX）<BR>　２．回路技術　（カレントミラーとセンスアンプ）<BR>　３．アーキテクチャとレイアウト設計<BR><BR>Ｄ．文献研究<BR>　学術文献や技術文献などを例示し，これをもとに技術動向の調査を行う．　<BR>　 １．文献解説と調査課題<BR>　２．調査結果の講評