|
授業科目名
|
担当教員
|
|||||||||||||||||
|
電子デバイス工学特論
|
小野島 紀夫／矢野 浩司
|
|||||||||||||||||
|
時間割番号
|
単位数
|
コース
|
履修年次
|
期別
|
曜日
|
時限
|
||||||||||||
| GTE503 | 2 | (未登録) | 1 | 後期 | 木 | I | ||||||||||||
| ［概要と目標］ | ||||||||||||||||||
| 今日エレクトロニクスは高度情報化社会を支えるキー技術として不可欠のものとなっている。本授業では、その核となる半導体デバイスを理解する上で必要となる知識を得ることを目的とし、以下の２項目に分けて講義を行う。<BR>（１）有機半導体デバイスの動作原理について無機半導体と対比して<BR> その違いを理解し，有機材料の特徴を生かした将来展開を考える。<BR>（２）パワーデバイスの動作原理と性能の特徴を把握する。<BR> | ||||||||||||||||||
| [到達目標] | ||||||||||||||||||
| 目標の半導体素子に関する全体像を把握することである | ||||||||||||||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||||||||||||||
| 電磁気学、半導体工学 | ||||||||||||||||||
| ［評価基準］ | ||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
| ［教科書］ | ||||||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||||||
| ［参考書］ | ||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
| ［講義項目］ | ||||||||||||||||||
| （１）小野島先生<BR> （１−１）有機エレクトロニクスの概要<BR> （１−２）有機半導体の基礎物性<BR> （１−３）有機半導体の電荷輸送機構<BR> （１−４）有機トランジスタの動作原理<BR> （１−５）有機トランジスタの作製プロセス<BR> （１−６）有機トランジスタの応用<BR> （１−７）有機光電子デバイス<BR><BR>（２）パワーデバイス<BR> （３−１） パワーデバイスの種類と開発動向<BR> （３−２） pinダイオード<BR> （３−３） パワーMOSFETの構造と動作<BR> （３−４） IGBTの構造と動作<BR> （３−５） スーパージャンクションの構造と動作<BR> （３−６） ワイドバンドギャップ半導体デバイス：SiCパワーデバイス<BR> （３−７） ワイドバンドギャップ半導体デバイス：GaNパワーデバイス<BR><BR> （３）最終総括 | ||||||||||||||||||