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授業科目名
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担当教員
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半導体デバイス工学
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中川 清和
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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269140 | 2 | AM | 3 | 後期 | 水 | III | ||||||||
[概要] | ||||||||||||||
電子回路を構成する電子部品の特性を理解することを目標とする。能動素子の材料である半導体の性質と、半導体で構成される能動部品(トランジスタなど)の特性を理解する。 | ||||||||||||||
[具体的な達成目標] | ||||||||||||||
(ア)共有結合を説明できる。<BR>(イ)フェルミレベルとは何かを説明できる。<BR>(ウ)半導体のバンド構造を説明できる。<BR>(エ)pn接合の構造と清流動作について説明できる。<BR>(オ)ショットキ接合の構造と清流動作について説明できる。<BR>(カ)MOS構造と蓄積、空乏、反転状態について説明できる。<BR>(キ)MOSトランジスタの構造と動作について説明できる。<BR>(ク)インバーターの構造について説明できる。<BR>(ケ)半導体メモリの構造について説明できる。 | ||||||||||||||
[必要知識・準備] | ||||||||||||||
電磁気学、量子力学 | ||||||||||||||
[評価方法・評価基準] | ||||||||||||||
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[教科書] | ||||||||||||||
[参考書] | ||||||||||||||
(未登録) | ||||||||||||||
[講義項目] | ||||||||||||||
1. 共有結合と固体のエネルギーバンド<BR>2. フェルミ統計と半導体中のキャリア分布<BR>3. キャリアの生成・消滅と拡散現象<BR>4. pn接合と整流特性<BR>5. ショットキー接合と整流特性<BR>6. MOS構造と電荷分布<BR>7. MOSFETの構造と動作原理および特性評価法<BR>8. 短チャネル効果<BR>9. バイポーラトランジスタの構造と動作原理<BR>10. 種々のインバータとその特徴<BR>11. 論理回路の構造と動作原理<BR>12. 半導体メモリの構造と動作原理<BR>13. ヘテロ構造デバイスの構造と動作原理<BR>14. 発光ダイオードとレーザー<BR>15. 電荷結合素子および総括・評価 | ||||||||||||||
[教育方法] | ||||||||||||||
パワーポイントで講義を行います。プリントを配布します。必要事項を記入してください。 | ||||||||||||||
[JABEEプログラムの学習・教育目標との対応] | ||||||||||||||
(未登録) | ||||||||||||||
[その他] | ||||||||||||||
(未登録) |