|
授業科目名
|
担当教員
|
|||||||||||||||||
|
半導体デバイス工学特論
|
中川 清和／矢野 浩司／有元 圭介
|
|||||||||||||||||
|
時間割番号
|
単位数
|
コース
|
履修年次
|
期別
|
曜日
|
時限
|
||||||||||||
| 322154 | 2 | (未登録) | 1 | 前期 | 木 | I | ||||||||||||
| ［概要と目標］ | ||||||||||||||||||
| 今日エレクトロニクスは高度情報化社会を支えるキー技術として不可欠のものとなっている。本授業では、その核となる半導体デバイスを理解する上で必要となる知識を得ることを目的とし、以下の４項目に分けて講義を行う。<BR>（１）半導体物理に関する基礎的事項<BR>（２）代表的電子デバイスのダイオード、MOSFET、<BR> 最近注目を集めているヘテロ構造デバイスの構造と動作原理<BR>（３）パワーデバイス<BR> | ||||||||||||||||||
| [到達目標] | ||||||||||||||||||
| 目標の半導体素子に関する全体像を把握することである | ||||||||||||||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||||||||||||||
| 電磁気学、量子力学 | ||||||||||||||||||
| ［評価基準］ | ||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
| ［教科書］ | ||||||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||||||
| ［参考書］ | ||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
| ［講義項目］ | ||||||||||||||||||
| （１）半導体物理に関する基礎的事項<BR> （１−１）エネルギーバンド、Fermi 分布、正孔の概念 <BR> （１−２）半導体における電気伝導電子と正孔の運動、キャリアの散乱、<BR> キャリアの生成・拡散・再結合<BR>（２）代表的電子デバイスのダイオード、MOSFET<BR> 電子デバイスの基本MOSFETと注目を集めているヘテロ構造デバイスの動作<BR> 原理と応用<BR> （２−１）異種物質の接合<BR> 拡散電位、整流作用、接合の静電容量など<BR> （２−２）電界効果トランジスタ<BR> 界面の蓄積状態・空乏状態・反転状態、MOS構造の静電容量など<BR> （２−３）電界効果トランジスタの構造と動作<BR> ピンチオフ、飽和特性の理由など<BR> （２−４）不純物分布と埋め込みチャネルトランジスタの構造と動作<BR> チャネル不純物分布の電流電圧特性に与える影響など<BR> （２−５）SOIトランジスタ、ヘテロ構造トランジスタ<BR> SOIトランジスタ、歪みSi素子の構造と動作など<BR>（３）パワーデバイス<BR> （３−１） パワーデバイスの種類と開発動向<BR> （３−２） 各種パワーデバイスの動作原理<BR> （３−３） パワーデバイスの応用と将来展望 | ||||||||||||||||||