授業科目名				担当教員
電子デバイス工学II				小野島　紀夫
時間割番号	単位数	コース	履修年次	期別	曜日	時限
272070	2	E	3	後期	木	II
［概要］
今日の我々の生活は半導体デバイスを抜きにしては考えられません．現在もっとも多く使われている半導体デバイスは，MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)デバイスである．本講義では電子デバイス工学Iの後を受けて，半導体デバイス工学の理論から現実の半導体デバイス技術，特にMOS電界効果トランジスタの基礎的諸現象や動作特性について理解することを目標とする．
［具体的な達成目標］
金属-半導体(MS)接合のショットキー接触とオーム性接触の違いを説明できる<BR>pn接合ダイオードとショットキーダイオードの動作原理および電気的特性の違いを説明できる<BR>金属-酸化膜-半導体(MOS)構造の電界効果について物理的説明ができる<BR>MOS電界効果トランジスタの動作原理を説明できる
［必要知識・準備］
電子デバイス工学I(特にエネルギーバンドの形成とバンドギャップの意味)を復習しておくこと
［評価方法・評価基準］
No 評価項目 割合 評価の観点 1 試験：期末期  40  % 総括評価、中間評価、レポート課題により、具体的な達成目標の内容について60%以上理解し説明できるか確認する  2 試験：中間期  40  % 総括評価、中間評価、レポート課題により、具体的な達成目標の内容について60%以上理解し説明できるか確認する  3 小テスト／レポート  20  % 総括評価、中間評価、レポート課題により、具体的な達成目標の内容について60%以上理解し説明できるか確認する
［教科書］
岸野正剛, 半導体デバイスの物理, 丸善株式会社, ISBN:4621040243
［参考書］
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, ISBN:0471056618 芝原健太郎、宮本恭幸、内田建　監訳, タウア・ニン　最新VLSIの基礎　第2版, 丸善出版, ISBN:9784621085813
［講義項目］
1. 金属-半導体(MS)接合<BR> a) 整流性接触(ショットキー接触)　b) オーム性接触<BR>2. ショットキーダイオードの解析<BR> a) 空乏層解析　b) 電流輸送機構<BR>3. pn接合ダイオードとショットキーダイオードの電気的特性比較<BR>4. 表面・界面の電子準位<BR>5. 接合型電界効果トランジスタ<BR>6. MOS構造とMOSダイオードの諸特性，酸化膜および界面の電荷<BR>7. MOSデバイスの諸現象とそれを利用した各種MOSデバイス<BR>8. 中間評価とまとめ<BR>9. MOS電界効果トランジスタ(MOSFET)<BR>　 a) 長チャネルMOSFETの動作原理　b) 短チャネルMOSFETの動作原理<BR>10. 薄膜トランジスタ(TFT) <BR>11. MOSインバータとCMOSインバータ<BR>12. 微細MOS電界効果トランジスタの問題<BR>　　a) ショートチャネル効果　b) 量子力学的トンネル効果<BR>13. ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)<BR>14. 半導体デバイスプロセスの基礎<BR>15. 総括評価とまとめ
［教育方法］
半導体デバイスの構造や動作原理について図を用いて定性的な説明を行う．<BR>半導体デバイスの電気的特性を解析的に理解するため数式を用いて説明を行う．<BR>講義で習ったこと，特に数式の物理的意味をよく理解するように復習すること．<BR><BR>．
［JABEEプログラムの学習・教育目標との対応］
《電気電子システム工学科》 C-4：電気電子工学分野の専門知識・技術を身につける 基礎工学部門・応用工学部門に含まれる科目を通じて電気電子工学分野の専門知識・技術を身につける
［その他］
(未登録)