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授業科目名
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担当教員
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結晶工学特論
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矢野 浩司／鍋谷 暢一／山中 淳二
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 322320 | 2 | (未登録) | 1 | 前期 | 火 | I | ||||||||||||
| ［概要と目標］ | ||||||||||||||||||
| 電子デバイスや光デバイスの多くは、何らかの基板上に成長したエピタキシャル結晶を利用して作製することが多い。その背景には、分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法に代表される非平衡状態での結晶成長技術の進歩がある。ここでは、ナノスケールで制御された量子井戸やヘテロ界面の形成に不可欠なエピタキシー技術と、エピタキシャル結晶の構造・物性・評価方法，さらに，デバイス化のためのプロセス技術等について学ぶ． | ||||||||||||||||||
| [到達目標] | ||||||||||||||||||
| 各種結晶成長法，半導体デバイスプロセス技術，結晶の物性評価法，結晶の構造評価方，を理解し、説明できる。 | ||||||||||||||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||||||||||||||
| 大学の学部程度の物理学と化学の知識を基礎とする。<BR>ダイオードやトランジスタなど、初歩的な電子デバイスの構造や原理。 | ||||||||||||||||||
| ［評価基準］ | ||||||||||||||||||
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| ［教科書］ | ||||||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||||||
| ［参考書］ | ||||||||||||||||||
| ［講義項目］ | ||||||||||||||||||
| A.エピタキシーと評価 (鍋谷)<BR> 1.エピタキシーの必要性<BR> 2.エピタキシーが適用される結晶<BR> 3.種々のエピタキシー<BR> 4.結晶成長方法と装置の構成<BR> 5.結晶評価方法（構造評価、物性評価）<BR>B.結晶工学と結晶成長（矢野）<BR> 1.結晶成長の基礎<BR> 2.加工プロセス （酸化、不純物拡散、イオン打ち込み他）<BR>C.電子顕微鏡法(山中)<BR> 1.電子顕微鏡の構造<BR> 2.電子顕微鏡による結晶の評価法 | ||||||||||||||||||