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授業科目名
担当教員
電子デバイス工学
中川 清和
時間割番号
単位数
コース
履修年次
期別
曜日
時限
262044 2 S 3 前期 III
[概要]
 電子回路を構成する電子部品の特性を理解することを目標とする。能動素子の材料である半導体の性質と、半導体で構成される能動部品(トランジスタなど)の特性を理解する。
[具体的な達成目標]
(ア)共有結合を説明できる。<BR>(イ)フェルミレベルとは何かを説明できる。<BR>(ウ)半導体のバンド構造を説明できる。<BR>(エ)pn接合の構造と清流動作について説明できる。<BR>(オ)ショットキ接合の構造と清流動作について説明できる。<BR>(カ)MOS構造と蓄積、空乏、反転状態について説明できる。<BR>(キ)MOSトランジスタの構造と動作について説明できる。<BR>(ク)インバーターの構造について説明できる。<BR>(ケ)半導体メモリの構造について説明できる。
[必要知識・準備]
電磁気学、物理学
[評価方法・評価基準]
No評価項目割合評価の観点
1試験:期末期 100  %理解度を評価します。 
[教科書]
(未登録)
[参考書]
  1. 絵から学ぶ半導体デバイス工学, 昭晃堂, ISBN:4785612096
[講義項目]
1.固体のエネルギーバンド<BR>2.半導体中のキャリア分布<BR>3.pn接合<BR>4.ショットキ接合<BR>5.MOS構造<BR>6.MOSトランジスタ<BR>7.MOSダイオード<BR>8.インバータ<BR>9.メモリ
[教育方法]
 毎回の講義はパワーポイントまたはOHPを用いる。プリントを配布するので講義中に要点をそれに記入していくこと。
[JABEEプログラムの学習・教育目標との対応]
《電気電子システム工学科》
C-4:電気電子工学分野の専門知識・技術を身につける
基礎工学部門・応用工学部門に含まれる科目を通じて電気電子工学分野の専門知識・技術を身につける
 
[その他]
(未登録)