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授業科目名
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担当教員
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電子デバイス工学I演習
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鍋谷 暢一
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 262043 | 1 | E | 3 | 前期 | 火 | II | ||||||||
| ［概要］ | ||||||||||||||
| 「電子デバイス工学 I」の講義で学んだ内容をより一層確実なものにし、半導体と半導体デバイスの理解を深めるため、講義に関連する演習を行う。 | ||||||||||||||
| ［具体的な達成目標］ | ||||||||||||||
| （ア）代表的な半導体の結晶構造を説明できる<BR>（イ）結晶内の電子波の振る舞いを説明できる<BR>（ウ）エネルギーギャップを説明できる<BR>（エ）状態密度、有効質量を説明できる<BR>（オ）自由電子と正孔を説明できる<BR>（カ）ドナーとアクセプタの役割を説明できる<BR>（キ）半導体中のキャリア密度を計算できる<BR>（ク）キャリアの運動、散乱を説明できる<BR>（ケ）キャリアの生成、再結合を説明できる<BR>（コ）pn接合を説明できる<BR>（サ）pn接合ダイオードの動作を説明できる<BR>（シ）バイポーラトランジスタの動作を説明できる<BR>（ス）バイポーラトランジスタの等価回路を説明できる | ||||||||||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||||||||||
| 電磁気学の基礎事項、ベクトル演算、簡単な線形微分方程式 | ||||||||||||||
| ［評価方法・評価基準］ | ||||||||||||||
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| ［教科書］ | ||||||||||||||
| ［参考書］ | ||||||||||||||
| ［講義項目］ | ||||||||||||||
| １．半導体の結晶とエネルギーバンド<BR>２．キャリアの密度と運動<BR>３．ｐｎ接合の構造とバンド図<BR>４．ｐｎ接合の電流電圧特性<BR>５．ｐｎ接合の容量電圧特性<BR>６．バイポーラトランジスタの基本動作<BR>７．バイポーラトランジスタの電流電圧特性<BR><BR>これらの項目についてそれぞれ２回程度ずつ試験形式の演習を行う。 | ||||||||||||||
| ［教育方法］ | ||||||||||||||
| 本演習は「電子デバイス工学I」の講義と並行して進行する。毎週の講義内容に関する演習問題を各自が解くことにより、半導体と電子デバイスに関する理解を深める。 | ||||||||||||||
| ［JABEEプログラムの学習・教育目標との対応］ | ||||||||||||||
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| ［その他］ | ||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||