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授業科目名
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指導教員
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半導体デバイス工学特論
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加藤 孝正／矢野 浩司
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 416420 | 2 | (未登録) | 1 | 後期 | 木 | II | ||||||||
| ［概要と目標］ | ||||||||||||||
| １．電力増幅用高周波デバイスおよびパワーデバイスを主とした半導体デバイスの先端技術において、それらの動作原理や解析技法、性能評価法を理解することを目標とする。<BR><BR>２．半導体中での光過程を理解し、光デバイス中でそれがどのように活かされているかを、太陽電池を中心にフォトダイオードも併せて、結晶成長法や各種デバイスの動作原理やデバイス設計について学ぶ。 | ||||||||||||||
| [到達目標] | ||||||||||||||
| 1)内部の電位分布およびキャリア分布と関連づけながら、半導体デバイスの動作を説明出来る。<BR>2)半導体工学における簡易的な解析式により、おおよその素子設計が出来る。 | ||||||||||||||
| ［専攻の目標と講義の目標との関連性］ | ||||||||||||||
| 本授業科目は、人材養成目的の一つである各種先端ナノデバイスの開発を対象とした人材育成を行い、関連する産業分野の発展に寄与することを目的とする。さらに低炭素を目指した環境にやさしい半導体デバイスにむけた技術開発・発展に寄与することを目的とする。 | ||||||||||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||||||||||
| 半導体物性、デバイスの基礎知識 | ||||||||||||||
| ［評価基準］ | ||||||||||||||
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| ［教科書］ | ||||||||||||||
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| ［参考書］ | ||||||||||||||
| ［講義項目］ | ||||||||||||||
| 1. 半導体基礎電子物性<BR> 2. 半導体電子デバイスの種類と変遷<BR> 3. 高周波デバイス、パワーデバイス等の動作原理<BR> 4. 各種デバイスのシステムへの応用<BR> 5. 外部パラメータによる半導体中での摂動効果<BR> 6. 半導体中での吸収過程<BR> 7. 半導体中での放射過程<BR> 8. 太陽電池の物理と設計<BR> 9. フォトダイオード等の受光バイスの物理と設計<BR>10. 高効率太陽電池作製技術 | ||||||||||||||