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授業科目名
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担当教員
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マイクロエレクトロニクス特論
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加藤 初弘
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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327680 | 2 | (未登録) | 1 | 後期 | 木 | IV | ||||||||||||||||
[概要と目標] | ||||||||||||||||||||||
物性論の応用として固体電子回路(solid-state circuits)をとらえ,マイクロデバイスの製造・設計を論じる.また,マイクロデバイスと生物システムとの融和を目指す最近の研究を紹介する. | ||||||||||||||||||||||
[到達目標] | ||||||||||||||||||||||
A)MOSトランジスタのリソグラフによる加工技術の概要<BR>B)MOSのSPICEモデルとニューロンのHodgkin-Huxsleyモデル<BR>C)マイクロデバイスの最近の研究についての調査とゼミての説明 | ||||||||||||||||||||||
[必要知識・準備] | ||||||||||||||||||||||
1)半導体の結晶構造とPN接合,2)拡散と伝導現象,3)ポアソン方程式とその解法,4)常微分方程式の解法 | ||||||||||||||||||||||
[評価基準] | ||||||||||||||||||||||
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[教科書] | ||||||||||||||||||||||
(未登録) | ||||||||||||||||||||||
[参考書] | ||||||||||||||||||||||
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[講義項目] | ||||||||||||||||||||||
A .マイクロデバイスの加工技術<BR> 1. 半導体材料の性質 <BR> 2. 結晶表面と薄膜形成<BR> 3. リソグラフによるパターニング<BR> 4. 新しい材料・プロセス技術(low-k CNTなど)<BR><BR>B.デバイスのモデル化<BR> 5. カノニカル分布と伝導モデル<BR> 6. MOSトランジスタ特性<BR> 7. ニューロンの特性<BR> 8. 生物素子の電子デバイスによる実現<BR> 9. 新しい回路技術(トランスリニア回路など)<BR><BR>C.文献研究<BR> ゼミ形式で基本および最新の文献を調査し説明する.文献はその時の学会の動向などから決定する. 評価項目は,「背景」「目的」「方法」「結論」の4つ.例えば文献「"Neural circuits in silicon", Nature, vol.405, p.891(2000)」なら次のような進行になる.<BR> 10.文献輪購 学生Aによる論文の概要と序論の説明.関連した課題を学生B,<BR> Cなどに提示.<BR> 課題の例は,「生物の神経が持っている非線形動作の実例を調査」<BR> 11.文献輪購 学生B,Cが先週の課題について調べた内容を説明.<BR> 12.文献輪購 学生Dが論文の方法論を説明.学生E,Fなどに課題を提示.<BR> 題の例は「回路要素をバイポーラからMOSへ変更した場合の注意点」<BR> 13.文献輪購 学生E,Fが課題について調べた内容を説明.<BR> 14.文献輪購 学生Gが論文の結論を説明.学生H,Iなどに課題を提示.<BR> 課題の例は「トランスリニア回路原理による乗算器の動作説明」<BR> 15.文献輪購 学生H,Iが課題について調べた内容を説明.論文に関して現状と今後を解説. |