授業科目名				担当教員
無機機器分析特論				川久保　進／鈴木　保任
時間割番号	単位数	コース	履修年次	期別	曜日	時限
325620	2	(未登録)	1	前期	水	II
［概要と目標］
コンピューター関連の電子材料や情報記憶媒体の開発に代表されるように、新材料の開発において表面の構造や物理化学的な特性を計測、評価する表面分析の役割は大きい。学部の機器分析の講義では、試料全体を分析(バルク(bulk)分析)する方法を学習したが、本講義では、表面の分析法として、電子線やＸ線などをプローブ(probe)として用いる表面分析法の原理、装置、特徴などを学習する。
[到達目標]
１．代表的な表面分析法の特徴を理解する。<BR>２．様々な分析課題に対して適切な表面分析法を選択し、分析結果を正しく評価できる力を養う。
［必要知識・準備］
学部で学んだ物理化学と分析化学の素養を必要とする。学部で使った参考書や教科書を用意し、必要なときに復習できるようにすること。
［評価基準］
No 評価項目 割合 評価の観点 1 試験：期末期  50  % 講義全体の理解度  2 小テスト／レポート課題  30  % 単位毎の講義内容の理解度  3 発表／表現等  20  % 文献の読解力と発表力
［教科書］
講義資料のプリントと演習問題集（別途配布）を併用する。
［参考書］
特に指定しないが、講義内容の理解を深めるために、図書館所蔵の表面分析に関する学習図書の利用を勧める。
［講義項目］
１．様々なプローブとそれによって得られる物質情報<BR>　１．１　電磁波(バルク分析(復習))（１回）<BR>　１．２　電子線、Ｘ線、イオン線など(表面分析)（２回）<BR>２．電子線を利用する分析<BR>　２．１　電子顕微鏡(SEM/TEM)（３回）<BR>　２．２　電子プローブマイクロアナライザー(EPMA)（４回）<BR>　２．３　オージェ電子分光法(AES)（５回）<BR>　２．４　電子線回折法(LEED、RHEED)、他（６回）<BR>　まとめと演習（７回）<BR>３．Ｘ線を利用する分析（Ｘ線光電子分光法, XPS）（８回）<BR>４．イオン線を利用する分析<BR>　４．１　二次イオン質量分析法(SIMS)（９回）<BR>　４．２　ラザーフォード後方散乱分光法(RBS)、他（１０回）<BR>５．走査プロ−ブ顕微鏡(SPM)（１１回）<BR>６．グループ学習（応用例についての発表と質疑）(１２回〜１４回)<BR>７．総括評価（試験など）（１５回）