授業科目名				担当教員
電子デバイス工学II				加藤　孝正
時間割番号	単位数	コース	履修年次	期別	曜日	時限
272070	2	E	3	後期	金	I
［概要］
最近のパ−ソナルコンピュ−タの進歩には目を見張るものがあります。コンピュ−タを始めとするエレクトロニクス産業をここまで発展させてきたものは、半導体技術とりわけ、MOS集積回路技術の進歩です。本講義では、電子デバイス工学IIの後を受けて、サイリスタ、金属−半導体接合（ショットキ−ダイオ−ド、オ−ム接触）、MOSダイオード、MOSトランジスタ、LSI技術について学んでいきます。
［具体的な達成目標］
サイリスタの原理、応用を説明できる。<BR>ショットキ−ダイオ−ド、オ−ム接触の原理を説明できる。<BR>MOSダイオードの動作原理を説明できる。<BR>MOSトランジスタの原理、応用回路を説明できる。<BR>デバイスおよびプロセス技術から見たＬＳＩ技術を説明できる。
［必要知識・準備］
電子デバイス工学Iの内容をよく復習しておいて下さい。エネルギ−バンド図の書き方、見方についてもよく復習しておいて下さい。これらの内容が分からないと理解が困難となります。
［評価方法・評価基準］
No 評価項目 割合 評価の観点 1 試験：期末期  40  % 試験：中間期、期末期、レポート課題等を総合して具体的な達成目標の内容について、６０％以上理解し説明できるか確認する  2 試験：中間期  40  % 試験：中間期、期末期、レポート課題等を総合して具体的な達成目標の内容について、６０％以上理解し説明できるか確認する  3 小テスト／レポート課題  20  % 試験：中間期、期末期、レポート課題等を総合して具体的達成目標の内容について、60%以上満たしているかを確認する
［教科書］
岸野正剛, 現代　半導体デバイスの基礎, オ−ム社, ISBN:4274129969
［参考書］
(未登録)
［講義項目］
１．サイリスタ<BR>　　　a)構造とその動作<BR>　　　b)CMOSデバイス中での寄生サイリスタ<BR>　２．金属−半導体接合<BR>　　　a)ショットキ−障壁<BR>　　　b)オ−ム接触<BR>　３．MOS構造の物理<BR>　　　a) 理想的MOS構造のエネルギ−バンド図<BR>　　　b) 理想的なＣ−Ｖ曲線<BR>　　　c) フラットバンド電圧とMOS反転のしきい値電圧<BR>　　　d) 表面準位の生成原因と表面の不安定性<BR>　４．MOSトランジスタ<BR>　　　a) MOSトランジスタの構造と動作原理<BR>　　　b) 電流−電圧特性の解析 <BR>　　　c) しゃ断周波数とスイッチング特性<BR>　　　d) MOSインバ−タと応答特性<BR>　５．デバイスおよびプロセス技術から見たＬＳＩ技術<BR>　　　a) ショ−トチャネル効果と比例縮小則<BR>　　　b) DRAMとSRAM<BR>　　　c) CMOSのラッチアップ<BR>　　　d) 不揮発メモリ−LSI
［教育方法］
(1)図を使って、デバイス中の電子や正孔の振る舞いを説明することによって、視覚的にも動作原理を理解してもらえるように心がけています。<BR>(2)定性的に理解するとともに、数式で表されたものの意味を理解できるように説明をしていきます。
［JABEEプログラムの学習・教育目標との対応］
《電気電子システム工学科》 C-4：電気電子工学分野の専門知識・技術を身につける 基礎工学部門・応用工学部門に含まれる科目を通じて電気電子工学分野の専門知識・技術を身につける
［その他］
(未登録)