|
授業科目名
|
担当教員
|
|||||||||||||||||
|
電子デバイス工学
|
中川 清和
|
|||||||||||||||||
|
時間割番号
|
単位数
|
コース
|
履修年次
|
期別
|
曜日
|
時限
|
||||||||||||
| 262044 | 2 | S | 3 | 前期 | 水 | III | ||||||||||||
| ［概要］ | ||||||||||||||||||
| 電子回路を構成する電子部品の特性を理解することを目標とする。能動素子の材料である半導体の性質と、半導体で構成される能動部品（トランジスタなど）の特性を理解する。 | ||||||||||||||||||
| ［具体的な達成目標］ | ||||||||||||||||||
| （ア）共有結合を説明できる。<BR>（イ）フェルミレベルとは何かを説明できる。<BR>（ウ）半導体のバンド構造を説明できる。<BR>（エ）pn接合の構造と清流動作について説明できる。<BR>（オ）ショットキ接合の構造と清流動作について説明できる。<BR>（カ）MOS構造と蓄積、空乏、反転状態について説明できる。<BR>（キ）MOSトランジスタの構造と動作について説明できる。<BR>（ク）インバーターの構造について説明できる。<BR>（ケ）半導体メモリの構造について説明できる。 | ||||||||||||||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||||||||||||||
| 電磁気学、物理学 | ||||||||||||||||||
| ［評価方法・評価基準］ | ||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
| ［教科書］ | ||||||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||||||
| ［参考書］ | ||||||||||||||||||
| ［講義項目］ | ||||||||||||||||||
| １．固体のエネルギーバンド<BR>２．半導体中のキャリア分布<BR>３．pn接合<BR>４．ショットキ接合<BR>５．MOS構造<BR>６．MOSトランジスタ<BR>７．MOSダイオード<BR>８．インバータ<BR>９．メモリ | ||||||||||||||||||
| ［教育方法］ | ||||||||||||||||||
| 毎回の講義はパワーポイントまたはOHPを用いる。プリントを配布するので講義中に要点をそれに記入していくこと。 | ||||||||||||||||||
| ［JABEEプログラムの学習・教育目標との対応］ | ||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
| ［その他］ | ||||||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||||||