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授業科目名
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担当教員
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結晶工学特論
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霜村 攻／鍋谷 暢一／矢野 浩司
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 322320 | 2 | (未登録) | 1 | 後期 | 火 | I | ||||||||||||
| ［概要と目標］ | ||||||||||||||||||
| シリコンや水晶に代表されるようなバルク結晶が通信やコンピュータなどの現代技術を支えている。これらバルク結晶を育成する基礎的技術を、物理や化学の基礎にたって理解し、必要に応じて実行しうる知識を修得することを目的とする。<BR> 一方電子デバイスや光デバイスの多くは、何らかの基板上に成長したエピタキシャル結晶を利用して作製する。その背景には、分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法に代表される非平衡状態での結晶成長技術の進歩がある。ここでは、ナノスケールで制御された量子井戸やヘテロ界面の形成に不可欠なエピタキシー技術と、エピタキシャル結晶の構造・物性・評価方法について学ぶ。 | ||||||||||||||||||
| [到達目標] | ||||||||||||||||||
| 各種結晶成長法を理解し、説明できる。 | ||||||||||||||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||||||||||||||
| 大学の学部程度の物理学と化学の知識を基礎とする。<BR>ダイオードやトランジスタなど、初歩的な電子デバイスの構造や原理。 | ||||||||||||||||||
| ［評価基準］ | ||||||||||||||||||
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| ［教科書］ | ||||||||||||||||||
| (未登録) | ||||||||||||||||||
| ［参考書］ | ||||||||||||||||||
| ［講義項目］ | ||||||||||||||||||
| A.バルク結晶の育成と評価（霜村）<BR> 1.相図<BR> 2.結晶成長の基本的方法<BR> 3.各種育成方法と育成装置<BR> 4.評価方法（Ｘ線粉末法,ラング法，二結晶トポグラフィ、光学的方法）<BR> 5.話題（非線形光学結晶の育成など） B. エピタキシーと評価 (鍋谷)<BR> 1.エピタキシーの必要性<BR> 2.エピタキシーが適用される結晶<BR> 3.種々のエピタキシー<BR> 4.結晶成長方法と装置の構成<BR> 5.結晶評価方法（構造評価、物性評価）<BR>C.結晶工学と結晶成長（矢野）<BR> 1.結晶成長の基礎<BR> 2.加工プロセス （酸化、不純物拡散、イオン打ち込み他） | ||||||||||||||||||