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授業科目名
担当教員
電子デバイス工学
中川 清和
時間割番号
単位数
コース
履修年次
期別
曜日
時限
262044 2 S 3 前期 III
[概要]
 電子回路を構成する電子部品の特性を理解することを目標とする。能動素子の材料である半導体の性質と、半導体で構成される能動部品(トランジスタなど)の特性を理解する。
[具体的な達成目標]
(ア)共有結合を説明できる。
(イ)フェルミレベルとは何かを説明できる。
(ウ)半導体のバンド構造を説明できる。
(エ)pn接合の構造と清流動作について説明できる。
(オ)ショットキ接合の構造と清流動作について説明できる。
(カ)MOS構造と蓄積、空乏、反転状態について説明できる。
(キ)MOSトランジスタの構造と動作について説明できる。
(ク)インバーターの構造について説明できる。
(ケ)半導体メモリの構造について説明できる。
[必要知識・準備]
電磁気学、物理学
[評価方法・評価基準]
具体的達成目標の各項目に関して、定期試験により6割以上達成できていることを確認する。
[教科書]
(未登録)
[参考書]
  1. 絵から学ぶ半導体デバイス工学, 昭晃堂, ISBN:4785612096
[講義項目]
1.固体のエネルギーバンド
2.半導体中のキャリア分布
3.pn接合
4.ショットキ接合
5.MOS構造
6.MOSトランジスタ
7.MOSダイオード
8.インバータ
9.メモリ
[教育方法]
 毎回の講義はパワーポイントまたはOHPを用いる。プリントを配布するので講義中に要点をそれに記入していくこと。
[JABEEプログラムの学習・教育目標との対応]
 本科目は電気電子システム工学科の掲げる学習・教育目標「C-4:電気電子工学分野の専門知識・技術を身につける」に対応する。
[その他]
(未登録)