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授業科目名
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担当教員
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電子デバイス工学I演習
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鍋谷 暢一
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 262043 | 1 | E | 3 | 前期 | 火 | II |
| ［概要］ | ||||||
| 「電子デバイス工学 I」の講義で学んだ内容をより一層確実なものにし、半導体と半導体デバイスの理解を深めるため、講義に関連する演習を行う。 | ||||||
| ［具体的な達成目標］ | ||||||
| （ア）代表的な半導体の結晶構造を説明できる （イ）結晶内の電子波の振る舞いを説明できる （ウ）エネルギーギャップを説明できる （エ）状態密度、有効質量を説明できる （オ）自由電子と正孔を説明できる （カ）ドナーとアクセプタの役割を説明できる （キ）半導体中のキャリア密度を計算できる （ク）キャリアの運動、散乱を説明できる （ケ）キャリアの生成、再結合を説明できる （コ）pn接合を説明できる （サ）pn接合ダイオードの動作を説明できる （シ）バイポーラトランジスタの動作を説明できる （ス）バイポーラトランジスタの等価回路を説明できる |
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| ［必要知識・準備］ | ||||||
| 電磁気学の基礎事項、ベクトル演算、簡単な線形微分方程式 | ||||||
| ［評価方法・評価基準］ | ||||||
| 「電子デバイス工学 I 」の講義の進捗に合わせて毎週試験形式で出題される演習問題に解答する。これらを集計して目標の６割以上が達成されている場合に合格とする。 | ||||||
| ［教科書］ | ||||||
| ［参考書］ | ||||||
| ［講義項目］ | ||||||
| １．半導体の結晶とエネルギーバンド ２．キャリアの密度と運動 ３．ｐｎ接合の構造とバンド図 ４．ｐｎ接合の電流電圧特性 ５．ｐｎ接合の容量電圧特性 ６．バイポーラトランジスタの基本動作 ７．バイポーラトランジスタの電流電圧特性 これらの項目についてそれぞれ２回程度ずつ試験形式の演習を行う。 |
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| ［教育方法］ | ||||||
| 本演習は「電子デバイス工学I」の講義と並行して進行する。毎週の講義内容に関する演習問題を各自が解くことにより、半導体と電子デバイスに関する理解を深める。 | ||||||
| ［JABEEプログラムの学習・教育目標との対応］ | ||||||
| 本演習は電気電子システム工学科の掲げる学習・教育目標「C-6：電気電子工学分野の専門的課題を解決する能力を養う」に対応する。 | ||||||
| ［その他］ | ||||||
| (未登録) | ||||||