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授業科目名
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担当教官
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半導体デバイス工学特論
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加藤 孝正
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 416360 | 2 | (未登録) | 1 | 後期 | 木 | II |
| ［概要と目標］ | ||||||
| 半導体中での光過程（吸収、発光）、および光過程について講義します。次に、これを理解した上での応用例として、フォトダイオードの原理、設計などについて講義します。 | ||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||
| 半導体の一般的知識を必要とします。 | ||||||
| ［評価基準］ | ||||||
| 簡単な構造のpn接合フォトダイオードを設計（詳細は講義で説明）してもらいます。それについてレポートを課します。与えられた課題の要求内容について６割以上の達成度があれば合格とします。 | ||||||
| ［教科書］ | ||||||
| (未登録) | ||||||
| ［参考書］ | ||||||
| ［講義項目］ | ||||||
| 半導体中での光過程（吸収、発光）について講義し、その原理を理解した上で、デバイスへの応用例として、フォトダイオードの原理、設計指針について講義する。 １．半導体中の吸収過程 1)基礎吸収 2)励起子吸収 3)不純物が関与した遷移 4)帯内遷移 ２．半導体中の放射過程 1)発光効率 2)基礎遷移 3)バンドと不純物準位間の遷移 4)D-A対遷移 ３．これらの光過程を理解した上で、pn接合フォトダイオードを設計するとともに、さらに、設計したフォトダイオ−ドの受光感度や効率について、シミュレ−ションによってその特性を検証する。 |
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