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授業科目名
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担当教官
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固体電子デバイス特論
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矢野 浩司
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時間割番号
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単位数
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コース
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履修年次
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期別
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曜日
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時限
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| 416312 | 2 | (未登録) | 1 | 前期 | 木 | III |
| ［概要と目標］ | ||||||
| まず、半導体中のキャリア伝導機構や降伏機構といった、半導体デバイス動作における素過程やキャリア移動度等の物理パワメータモデルの詳細を修得する。次にMOSFETや接合型トランジスタ等の各種半導体デバイスの動作物理の詳細を修得するとともに、それら素子の設計概念を修得する。 | ||||||
| ［必要知識・準備］ | ||||||
| (未登録) | ||||||
| ［評価基準］ | ||||||
| プレゼンテーションもしくはレポートに基づいて評価する。 | ||||||
| ［教科書］ | ||||||
| (未登録) | ||||||
| ［参考書］ | ||||||
| ［講義項目］ | ||||||
| 1.キャリア輸送機構 1.1キャリア移動度 1.2キャリア再結合割合 2.降伏メカニズム 2.1アバランシェ降伏機構（イオン化係数ほか） 2.2終端構造 3.ダイオード 3.1pinダイオード 3.2ショットキーダイオード 4.接合型バイポーラトランジスタ(BJT)の動作 4.1伝導機構 4.2スイッチング動作 5.MOSFETの動作 5.1伝導機構 5.2スイッチング動作 5.3安全動作領域 |
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