授業科目名				担当教官
イオン工学特論				斎藤　幸典
時間割番号	単位数	コース	履修年次	期別	曜日	時限
401120	2	(未登録)	1	後期	火	II
［概要と目標］
イオン注入法は半導体デバイスを製作するときに、真性半導体に不純物を導入してｐ型あるいはｎ型の半導体にすることが不可欠である。その不純物導入の方法がイオン注入法である。イオン注入は半導体に限らず金属、誘電体等にも応用されている。この講義では、イオン注入がどのように行なわれるのかその原理と応用、特に誘電物への応用について解説する。
［必要知識・準備］
放電現象の基礎、磁場中を運動する荷電粒子の動き等の電磁気の基礎、半導体の基礎等が求められる。
［評価基準］
イオン注入に関して幾つかの課題を課し、そのレポートの内容を判断してイオン注入について講義したことのおよそ６０パーセント以上を理解していると判断した場合に合格とする。
［教科書］
(未登録)
［参考書］
(未登録)
［講義項目］
１、イオン注入の原理 ２、イオン注入装置 ３、イオンの飛程と分布 ４、イオン注入層の電気的特性 ５、イオン注入されて誘電体の光学的特性 ６、デバイスへの応用例