授業科目名				担当教官
無機機器分析特論				川久保　進
時間割番号	単位数	コース	履修年次	期別	曜日	時限
325151	2	(未登録)	1	前期	水	II
［概要と目標］
コンピューター関連の電子材料や情報記憶媒体の開発に代表されるように、近年の新材料の開発において表面の構造や物理化学的な特性を計測、評価する表面分析の役割は大きい。学部の機器分析の講義では、試料全体を分析(バルク(bulk)分析)する方法を学習したが、本講義では、表面の分析法として、電子線やＸ線などをプローブ(probe)として用いる方法の原理、装置、特徴などを学習する。
［必要知識・準備］
学部で学んだ物理化学と分析化学の素養を必要とする。学部で使った参考書や教科書を用意し、必要なときに復習できるようにすること。
［評価基準］
(1) 演習問題集(別途配布)から主に出題される演習小テスト(10点満点で2,3回実施) (2) グループ学習による文献紹介 (3) 期末試験(100点満点) (4) (1)~(3)の結果について演習小テスト満点を20~50点、グループ学習参加点を10点、期末試験満点を70~40点になるように配分した総合点(100点満点)を成績とする。(グループ学習がない場合はその配分を期末試験に加える)
［教科書］
講義資料のプリントと演習問題集（別途配布）を併用する。
［参考書］
特に指定しないが、講義内容の理解を深めるために、図書館所蔵の表面分析に関する学習図書の利用を勧める。
［講義項目］
１．様々なプローブとそれによって得られる物質情報（２回） 　１．１　電磁波(バルク分析(復習)) 　１．２　電子線、Ｘ線、イオン線など(表面分析) ２．電子線を利用する分析（４回） 　２．１　電子顕微鏡(SEM/TEM) 　２．２　電子プローブマイクロアナライザー(EPMA) 　２．３　オージェ電子分光法(AES) 　２．４　電子線回折法(LEED、RHEED)、他 ３．Ｘ線を利用する分析（Ｘ線光電子分光法, XPS）（２回） ４．イオン線を利用する分析（３回） 　４．１　二次イオン質量分析法(SIMS) 　４．２　ラザーフォード後方散乱分光法(RBS)、他 ５．深さ分析（１回） ６．走査プロ−ブ顕微鏡(SPM)（１回） ７．グループ学習(２回)